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반도체 공부

삼성전자- 반도체 공장 4. 평택공장

by 밤부스투자 2022. 4. 26.
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삼성전자 반도체 사업분야 별 사업장 정리

일단 파운드리, D램, 낸드플래시 별로

공장을 나눠봤음.

 


삼성전자 공장

 


위에가 파운드리, D램, 낸드플래시 기준으로 나눴다면 이제 사업장 별로 나눠보자

이번엔 평택공장에 대해 공부할건데


그 전에 기흥사업장, 오스틴공장, 화성사업장 공부하고싶으면 아래 골라서 클릭

삼성전자-반도체 공장- 1. 기흥사업장 (tistory.com)

 

삼성전자-반도체 공장- 1. 기흥사업장

삼성전자 반도체 사업분야 별 사업장 정리 일단 파운드리, D램, 낸드플래시 별로 공장을 나눠봤음. 파운드리 - 기흥 6라인- 8인치 S1- 12인치 - 미국 오스틴 S2- 12인치 - 화성 S3 + EUV 라인 (V1) S4 - 이미

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삼성전자-반도체 공장- 3. 화성사업장 (tistory.com)

 

삼성전자-반도체 공장- 3. 화성사업장

삼성전자 반도체 사업분야 별 사업장 정리 일단 파운드리, D램, 낸드플래시 별로 공장을 나눠봤음. 그 전에 기흥사업장, 오스틴공장 공부하고싶으면 아래 클릭 삼성전자-반도체 공장- 1. 기흥사

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4. 평택공장

삼성의 차세대 반도체는 이곳에서 

 

삼성전자 평택공장

- 삼성전자 차세대 반도체 생산 계획은 평택 캠퍼스에서 이뤄진다 봐도 무방.

- 세계 최대 규모 팹이 운영 중, 증설 중.

- 가시적인 팹은 P1, P2, P3 (공사 중), EUV 전용라인인 V2

 

P1

- 첨단 메모리 반도체가 생산되는 기지.

- D램: 12인치 기준 10만장/월

- NAND: 12인치 기준 19만장/월

- D램은 EUV 적용하지 않는 1z D램

- NAND플래시는 5세대~6세대 (128단) 제품 위주의 고용량 고성능 제품이 생산 중

 

P2

- 하이브리드팹

- 화성 17라인과 S3처럼 삼성전자의 두번째 EUV 동인 V2와 연결돼 있음.

- EUV D램, 최첨단 7세대 NAND플래시, 5나노 이하 파운드리가 생산 가능한 삼전의 특급 반도체 팹

- 현재 EUV 활용한 10나노급 3나노(1z) D램이 생산되고 있음.

- 차세대 14나노 D램, 176단 낸드플래시, 5나노파운드래 팹 (S5) 운영 예정 돼있음.

 

P3

삼성전자 P3 공장

- 삼전의 최대 규모 팹

- 12인치 웨이퍼 기준 30만장/월 예측

- 삼전 22년 하반기 라인 가동 목표

 

 

삼성전자의 반도체는

기흥-> 화성-> 평택.

시안, 오스틴 + 추가 해외

순으로 공장 지어짐.


평택공장 정리

- P1: 첨단 메모리 ,1z D램, (EUV 아님), 5~6세대 NAND (128단) 각각 12인치 기준 100K, 190k/ 월

- P2: 하이브리드팹, EUV V2와 연동돼 EUV 램 (1z), 7세대 NAND, 5nm 파운드리

- P3: 공사중, 12인치 300k/ 월 예상

 

 

반도체 8대공정 공부하고싶으면 아래 클릭

반도체 8대공정 정리-1.웨이퍼제작, 2. 산화공정 (tistory.com)

 

반도체 8대공정 정리-1.웨이퍼제작, 2. 산화공정

반도체 공정은 8대 공정으로 나뉜다. 1. 웨이퍼 제작 (둥근 원판제작) 2. 산화 공정 (웨이퍼 표면에 산화막 형성) 3. 포토 공정 (반도체 회로 그려넣기) 4. 식각 공정 (불필요한 부분 깎아내기) 5. 확

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출처: 서울경제신문

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