삼성전자 반도체 사업분야 별 사업장 정리
일단 파운드리, D램, 낸드플래시 별로
공장을 나눠봤음.
위에가 파운드리, D램, 낸드플래시 기준으로 나눴다면 이제 사업장 별로 나눠보자
이번엔 화성공장에 대해 공부할건데
그 전에 기흥사업장, 오스틴공장 공부하고싶으면 아래 클릭
삼성전자-반도체 공장- 1. 기흥사업장 2. 오스틴공장 (tistory.com)
삼성전자-반도체 공장- 1. 기흥사업장
삼성전자 반도체 사업분야 별 사업장 정리 일단 파운드리, D램, 낸드플래시 별로 공장을 나눠봤음. 파운드리 - 기흥 6라인- 8인치 S1- 12인치 - 미국 오스틴 S2- 12인치 - 화성 S3 + EUV 라인 (V1) S4 - 이미
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3. 화성공장
EUV부터 이미지 센서까지
토탈 반도체 기지
화성공장은
D램 공장, 낸드공장, 파운드리 (EUV 공장, 이미지센서 공장) 등 다있음.
D램
13라인, 15라인, 16라인, 17라인
총 4군데에서 생산 되고 있음.
10나노급 1세대 (1x)~ 10나노급 3세대 (1z) D램 제품이 주력
눈여겨 볼 곳은 16라인과 17라인, 13라인
17라인
- 화성사업장에서 가장 최신팹. 삼전의 첫번째 EUV 기지, V1과 연결 돼있음.
- EUV D램 생산이 가능하다는 얘기.
- 삼성이 EUV D램을 처음으로 도입한 10나노급 1세대 (1x) D램 샘플이 이곳에서 만들어짐.
- 14나노 D램 양산 테스트도 이곳에서 진행 됨.
- 17라인의 D램 생산 능력은 월/170K (17만장)
16라인
- 18년 말 낸드플래시 라인에서 D램 라인으로 전환하겠다는 회사 공식 발표 이후 차근차근 최신 D램 공정으로 전환 중
- 이 공간의 60~70% 정도가 D램 생산 라인으로 채워져 있다고 함.
- 앞으로 유휴 공간을 어케 활용할지 지켜볼만한 대목.
- 일각에서는 EUV 활용한 14나노 D램을 생산할 수 있느 곳이라는 분석도 나옴.
13라인
- 삼성전자가 이미지센서 시장 공략 선언하며 기존 D램 라인을 이미지센서 라인으로 탈바꿈 하려는 곳.
- D램 생산 능력을 줄이는 추세였는데, 최근 D램 수요가 좋아 이 계획을 천천히 진행하려고 하는 얘기가 있음.
낸드플래시
- 화성 낸드라인은 12라인이 있음.
- 삼전은 낸드플래시 생산 규모를 늘리기를 중국 시안 공장에 집중하려는 것으로 보임.
- 16라인에 있던 장비를 차근차근 시안으로 이설하면서, 시안에서 최신 낸드플래시 생산할 수 있게끔 장비 투자 지속하고 있기 때문
-> 참고 시안공장
- 현재 2개의 중국 시안 공장은 12인치 웨이퍼 기준 월/21만장 낸드플래시 생산
- 3세대 낸드부터 5세대 낸드까지, 주로 로우엔드 낸드가 생산 되는데
- 삼성 낸드 전체 생산량의 약 40%가 시안에서 생산되는 셈
- 앞으로 이곳에서 생산되는 낸드 물량 늘어날 것으로 보임.
다시 화성 공장
파운드리
- 화성에는 2개의 파운드리 기지 S3, S4가 있음
S3
- 17라인과 붙어있어 한지붕 두살림 하고 있는 라인
- 삼전 최초의 EUV V1과 연결돼 있는 파운드리임.
- EUV 라인과 연동해 고객사의 7나노 이하 반도체를 생산할 수 있는 기지.
S4 (= 11라인)
- 삼성전자의 이미지센서 전용라인
- 메모리 반도체를 생산하던 11라인을 전면 개조해 삼성전자 이미지센서 시장 공략의 핵심 기지가 되고 있음.
화성공장 정리
D램
- 13,15,16,17 라인: 10nm 1세대 (1x) ~10nm 3세대 (1z)
- 17라인: 첫번째 EUV 기지인 V1과 연결, EUV D램 생산, 14nm D램 양산 준비 중. 170k/ 월
- 16라인: NAND -> D램 전환 중. 공장의 60~70%가 채워짐
- 13라인: D램 -> CIS (이미지센서) 전환중
파운드리
- S3: EUV 동 V1과 연동되어 7nm 이하 생산
- S4: 11라인 -> CIS
NAND
- 12라인
- 16라인의 NAND 를 시안으로 이설, NAND는 시안에서 집중.
- 시안: 12인치 210k/ 월, 주로 로우엔드, 삼전 낸드 생산량의 40% 여기서
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삼성전자- 반도체 공장 4. 평택공장 (tistory.com)
삼성전자- 반도체 공장 4. 평택공장
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출처: 서울경제신문
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