반도체 8대공정- 6. 금속, 배선공정

반도체 8대 공정

1. 웨이퍼 제작 (둥근 원판제작)

2. 산화 공정 (웨이퍼 표면에 산화막 형성)

3. 포토 공정 (반도체 회로 그려넣기)

4. 식각 공정 (불필요한 부분 깎아내기)

5. 확산,증착 (불소, 인, 비소 등 불순물 투입)

6. 금속배선 (회로패턴 따라 금속선 연결)

7. 테스트 (불량품 검사)

8. 패키징 (반도체 보호를 위한 포장)

반도체 8대 공정

반도체 공정별 비중

식각, 세정이 가장 높은 26%, 증착이 20%, 노광이 19% 순으로 이뤄짐.

순서대로 공부를 해보자.

회로도 만들면

반도체는 전기가 통해야하는데

회로도에 전기가 통하게 할 수 있도록 하는 단계가

금속, 배선 단계

반도체 회로에

전기가 잘 통할 수 있도록

알루미늄, 티타늄, 텅스텐같은 금속(알루미늄이 가장 많이 쓰임)으로 얇은 금속 막을 증착(경우에따라 pvd, cvd다 씀)하여

반도체 전기가 통할 수 있게 해주는 단계

소재

독일: 바스프가 대표적

한국: 네패스, 후성, 디엔에프

장비

미국: AMAT

일본: TEL

램리서치

한국: 엘오티베큠

금속 배선 관련주들은 cvd 증착과도 관련이 있기 떄문에

cvd 증착 종목들과도 관련이 있음.

밤부스투자