반도체 8대공정- (5,6사이)CMP공정

반도체 8대 공정

 

1. 웨이퍼 제작 (둥근 원판제작)

2. 산화 공정 (웨이퍼 표면에 산화막 형성)

3. 포토 공정 (반도체 회로 그려넣기)

4. 식각 공정 (불필요한 부분 깎아내기)

5. 확산,증착 (불소, 인, 비소 등 불순물 투입)

CMP공정

6. 금속배선 (회로패턴 따라 금속선 연결)

7. 테스트 (불량품 검사) 

8. 패키징 (반도체 보호를 위한 포장)

 

여기에는 없으나

5. 확산, 증착 (이온주입) 공정과 6. 금속, 배선 공정 사이에 CMP 공정이 있음.

 

반도체 8대 공정

반도체 공정별 비중

반도체 공정별 비중

식각, 세정이 가장 높은 26%, 증착이 20%, 노광이 19% 순으로 이뤄짐.

 

순서대로 공부를 해보자.

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CMP 공정이란?

- 화학적, 물리적 방법으로 웨이퍼 위의 막을 평탄화 해주는 과정

CMP 공정

- CMP 패드가있는데

- 패드는 폴리우레탄 재질

- 플라톤 위에서 계속 돌아감

- 패드 위에 연마용 화학액과 연마 입자가 포함된 액체인 슬러리를 계속 흘려줌

- 그렇게 슬러리가 뿌려진 상태로 돌아가고 있는 패드위에

- 웨이퍼를 거꾸로 놓고 아래로 눌러주면

- 슬러리와 물리적, 화학적 작용하며 연마됨.

 

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CMP 관련기업

 

CMP 패드

미국: 다우케미칼

독일: Basf

일본: JSR

생산 중.

 

CMP 슬러리

미국: Cabot, 다우케미칼, 3M, APCI, 

독일: BASF

일본: 후지필름, 아사히 케미칼, 히타치

국내: 동진쎼미켐, 솔브레인, 케이씨텍, 동우화인켐

 

CMP 장비

미국: AMAT, Novellus 

일본: Ebara, ACCRETCH

한국: 케이씨텍